Treść książki
Przejdź do opcji czytnikaPrzejdź do nawigacjiPrzejdź do informacjiPrzejdź do stopki
krystalicznych.Gdytemperaturaniejestdostateczniewysoka,przemianataka
możebyćbardzopowolna.Dlategoteżwcelujejprzyspieszeniapodgrzewa
sięukład,abyspowodowaćpowiększeniejednegoziarnapolikryształudo
dużegoziarnamonokrystalicznegolubkilkadużychziaren.Dziejesiętokosz-
temmałychziaren,któresą„pożerane”przezziarnarosnące.
Opisaneuprzedniometodydotyczyłyotrzymywaniakryształówobjętoś-
ciowych.Tymczasemwostatnichdekadachcorazwiększegoznaczenianabie-
rająmetodykrystalizacjicienkichwarstw,zwłaszczapółprzewodnikowych.
Warstwytakieuzyskujesięzarównozfazygazowej,jakiciekłej.Naprzy-
kładmetodatransportuchemicznegoznalazłazastosowanienietylkodowy-
twarzaniadużychmonokryształów,aletakżedoformowaniatzw.warstw
epitaksjalnych.Sątocienkiewarstewkimonokrystaliczne,grubościodkilku
dokilkunastumikrometrów,którenarastająnamonokrystalicznympodłożu,
stanowiącymzarodź.Strukturakrystalicznawarstwyjestidentycznazestruk-
turąpodłoża,leczjejskładchemicznymożebyćniecoinnyzewzględuna
niewielkąilośćdomieszki,wprowadzonejdowarstwywczasiejejwzrostu.
Nagranicywarstwa-podłożepojawiasięzamierzona,gwałtownazmianawłaś-
ciwościfizycznychmonokryształu.Metodaepitaksjalnejkrystalizacjikrzemu
przyczyniłasiędorozwojutechnologiikrzemowychukładówscalonych,po-
wszechniestosowanychwurządzeniachelektronicznych.Opróczopisanej
epitaksjistosowanajesttakżeheteroepitaksja,polegającanawzrościewarstw
naniedopasowanympodwzględemstrukturykrystalicznejpodłożu.Przykła-
demmożebyćhodowlakrystalicznychwarstewekazotkugalu(GaN)naszafi-
rze.Wartododać,żeazotekgalujestbardzointeresującymmateriałemze
względunajegozastosowaniewniebieskiejoptoelektronice.
Wostatnichdziesięcioleciachopracowanezostałyjeszczebardziejnowoczes-
netechnologieepitaksjalnegowzrostukryształów,takiejak:epitaksjawiązek
molekularnych(MolecularBeamEpitaxy
MBE)orazmetaloorganicznenano-
szeniezfazygazowej(MetalorganicChemicalVapourDeposition
MOCVD).
Metodytepozwalająnaotrzymywanietzw.mikrostruktur(nanostruktur)pół-
przewodnikowych,czyliekstremalniecienkichwarstw,którychgrubość(rzędu
10-100nm)orazskładchemicznysąprecyzyjniekontrolowane.Mikrostruktury
tewytwarzanesąprzezsekwencyjnenanoszeniewarstwpółprzewodnikowych
oróżnymskładziechemicznym.MetodyMBEiMOCVDumożliwiająotrzy-
mywaniestrukturoobniżonejwymiarowości(dwuwymiarowych
tzw.studni
kwantowych,jednowymiarowych
tzw.drutówkwantowychizerowymiaro-
wych
tzw.kropekkwantowych).Znajdująonezastosowaniawewspółczesnej
elektroniceioptoelektronice.
Istniejewielemetodotrzymywaniaciałamorficznych(wtymszkieł).Naj-
bardziejpodstawoweto:
stosunkowopowolneochładzaniecieczy(metodaskutecznawprzypadku
substancjiowybitnieszkłotwórczychwłaściwościach,np.SiO
2),
16
