Pomiary elektryczne nanozłączy

Maciej Wawrzyniak

Uzyskaj dostęp

Zakup książkę

ISBN/ISSN:

978-83-7775-137-4

DOI:

Wydawnictwo:

Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej

Rok wydania:

2012

Liczba stron:

203

XML:ISBN/ISSN:

ONIX MARC21

Bibliografia:

Wawrzyniak, Maciej. Pomiary elektryczne nanozłączy. Red. . Poznań: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej, 2012, 203 s. ISBN 978-83-7775-137-4

Bibliografia refWorks:

RT Book, Whole

SR Electronic(1)

A1 Wawrzyniak, M.

T1 Pomiary elektryczne nanozłączy

PB Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej

PP Poznań

YR 2012

SN 978-83-7775-137-4

Bibliografia BibTex:

@Book{ 127652, author = "Wawrzyniak, Maciej", editor = "", title = "Pomiary elektryczne nanozłączy", publisher = "Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej", year = "2012", address = "Poznań", isbn = "978-83-7775-137-4" }

Bibliografia endNote:

TY - BOOK

AU - Wawrzyniak, Maciej

ED -

TI - Pomiary elektryczne nanozłączy

PB - Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej

CY - Poznań

PY - 2012

SN - 978-83-7775-137-4

ER -

Netografia (standard APA):

Wawrzyniak, Maciej. Pomiary elektryczne nanozłączy [baza danych online] Poznań: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej, 2012 [dostęp: 15 07 2024]. Dostęp w Ibuk Libra: https://libra.ibuk.pl/reader/pomiary-elektryczne-nanozlaczy-maciej-wawrzyniak-127652.

nanotechnologia, nanozłącza, pomiary elektryczne

W pracy przedstawiono metody formowania, pomiarów elektrycznych i charakteryzacji nanozłączy stosowane obecnie w nanotechnologii. Opisane metody formowania umożliwiają tworzenie nanozłączy o szerokości pojedynczego atomu charakteryzujących się u...

Więcej

ISBN/ISSN:

978-83-7775-137-4

DOI:

Wydawnictwo:

Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej

Rok wydania:

2012

Liczba stron:

203

XML:ISBN/ISSN:

ONIX MARC21

Streszczenie6
Wykaz oznaczeń7
1. Wstęp12
1.1. Postęp badań w dziedzinie nanotechnologii12
1.2. Nanozłącza15
1.3. Cel i zakres pracy19
2. Przewodność elektryczna nanozłącza22
2.1. Wpływ rozmiarów przewodnika na sposób obliczania jego przewodności elektrycznej22
2.2. Przewodność elektryczna złącza makroskopowego w ujęciu Maxwella25
2.3. Przewodność elektryczna nanozłącza w ujęciu Landauera31
2.3.1. Model jednowymiarowy z pojedynczym kanałem przewodności31
2.3.2. Model wielokanałowy40
2.3.3. Określanie prawdopodobieństwa transmisji dla modelu wielokanałowego45
3. Sposoby formowania nanozłączy54
3.1. Zastosowanie skaningowego mikroskopu tunelowego54
3.2. Zastosowanie techniki MCBJ58
3.3. Formowanie nanozłączy pomiędzy drutami makroskopowymi61
3.4. Formowanie nanozłączy w dwuwymiarowy gazie elektronowym63
3.5. Metody wytwarzania trwałych nanozłączy64
4. Pomiar przebiegów czasowych i wyznaczanie histogramów70
4.1. Wprowadzenie70
4.2. System pomiarowy do pomiarów przebiegów czasowych przewodności72
4.2.1. Pomiar przebiegów czasowych przewodności72
4.2.2. Konwerter prąd–napięcie76
4.2.3. Magnetostrykcyjny element wykonawczy79
4.3. Histogram przewodności82
4.3.1. Sposób wyznaczania82
4.3.2. Korekcja wpływu błędu nieliniowości różniczkowej przetwornika a/c84
4.3.3. Normalizacja szerokości przedziałów przewodności87
4.4. Wzorcowanie systemu pomiarowego88
4.5. Wykrywanie powtarzalności poziomów plateau na przebiegach czasowych przewodności95
4.6. Histogramy wzajemnej korelacji przewodności98
5. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej106
5.1. Wprowadzenie106
5.2. System pomiarowy do pomiarów charakterystyki prądowo-napięciowej108
5.3. Analiza wpływu pojemności sond oscyloskopu114
5.3.1. Schemat zastępczy z uwzględnieniem sond oscyloskopu114
5.3.2. Określenie błędu systematycznego spowodowanego wpływem pojemności sond dla modelu 2S117
5.3.3. Określenie błędu systematycznego spowodowanego wpływem pojemności sond dla modelu 3S125
5.4. Korekcja błędu systematycznego spowodowanego wpływem pojemności sond134
6. Badania nanozłączy formowanych z metali138
6.1. Pomiary przewodności nanozłączy formowanych ze złota, srebra i miedzi138
6.2. Pomiary przewodności nanozłączy formowanych z niklu144
6.3. Charakterystyka prądowo-napięciowa nanozłączy formowanych ze złota150
6.4. Pomiary maksymalnej wartości natężenia prądu elektrycznego płynącego przez nanozłącze152
6.5. Wpływ nanozłącza powstającego między zestykami łącznika na stany nieustalone w obwodzie RLC155
7. Badania nanozłączy formowanych w obszarze złącza metal–półprzewodnik162
7.1. Właściwości nanozłączy formowanych pomiędzy ostrzem z metalu i powierzchnią półprzewodnika162
7.2. Sposób przygotowania próbki półprzewodnika164
7.3. Pomiary przewodności166
7.4. Pomiary charakterystyki prądowo-napięciowej nanozłączy formowanych pomiędzy ostrzem z kobaltu i powierzchnią próbki z germanu typu p169
7.5. Pomiary charakterystyki prądowo-napięciowej nanozłączy formowanych pomiędzy ostrzem z kobaltu i powierzchnią próbki z germanu typu n173
Podsumowanie178
Literatura182
Summary201

Wstęp

tranzystorówpolowych[Lem].Dużeznaczeniedlategorozwojumaintegracja

technologiigrafenuzopartąnakrzemietechnologiąMOSFET[Schw].Zaprezen-

towanojużprototypytranzystorówgrafenowychmogącychpracowaćwukładach

mikrofalowych[Liny],charakteryzującychsiędużąruchliwościąnośnikówwka-

nale[Lia]orazdużąszybkościąprzełączania[Wanx].Dlazastosowańmetrolo-

gicznychnajbardziejinteresującejestzłączep-nwytworzonewpojedynczejwar-

stwiegrafenu[Wil],któremożezostaćwykorzystanedobudowywzorcarezystan-

cji[Wos].

Trwajątakżebadanianadzastosowaniemnanodrutówwnanoelektronice.

W2001rokuprzedstawionoprototypydiodyprostującej,tranzystorabipolarnego

orazinwerterazbudowanychzwykorzystaniemdomieszkowanychkrzemowych

nanodrutówośrednicyod20nmdo50nm[Cui].NanodrutyzZnOzostałyużyte

dokonstrukcjidiody[He,Dass],tranzystorapolowego[Cha,Ka],sensorówche-

micznych[Fan,FanB]isensorasiły[Wan].Zaproponowanotakżeukładylogiczne

wykorzystującetranzystorypolowezbudowanenabazienanodrutówZnO[Yeo].

Opracowanorównieżprototypytranzystorówpolowychzwykorzystaniemnano-

drutówzinnychmateriałów,np.:GaN[Sun],TiO2[Bai],InSb[Wang],Bi2S3[Yu],

SiC[Zho].

Wzastosowaniachkomercyjnychdominujeopartanakrzemietechnologia

CMOS.Wlatach2002-2003większośćfirmprodukującychukładyscalonewpro-

wadziłatechnologię90nm.Oznaczato,żedługośćkanałukażdegotranzystora

FETtworzącegostrukturęukładuscalonegonieprzekracza90nm.Tranzystory

ztakimrozmiaremkanałuzgodniezpodanąpowyżejdefinicjąwchodząjuż

wzakreszainteresowańnanotechnologii.Największyproducentukładówscalo-

nych,firmaIntel,wykorzystujeobecnietechnologię32nm,pracujetakżenad

wprowadzeniemdomasowejprodukcjiukładówscalonychtechnologii22nm.

Premierapierwszegoprocesorawykonanegozwykorzystaniemtejtechnologii

zapowiadanajestnakwiecień2012roku.

1.2.Nanozłącza

Jednymzobiektówzainteresowaniananotechnologiisąnanozłącza.Wrozważa-

niachelektrycznychnanozłączejestprzewodnikiemowymiarachnanometrycz-

nychłączącymdwaprzewodnikimakroskopowe.Wliteraturzeangielskojęzycznej

występujeróżnorodnośćnazwokreślającychnanozłącza:nanocontacts[BraB,Cal,

Eno,Guc,Ita,KizC,Med,Pau],nanojunctions[CsoB,Guo],nanoconstrictions

[Ces,Chn,Cor,Sti,Vin,Lu],nanoscalecontacts[Brt,Has,Kim,Pen].Ekstremal-

nymprzypadkiemnanozłączysązłączaoszerokościpojedynczegoatomu,które

wliteraturzeanglojęzycznejsątakżeokreślanezapomocąkilkuterminów:atom-

-sizedpointcontacts[OleA,OleB],atom-sizedcontacts[KraD,Tsu,Kuw],atomic

contacts[SceC,Unt,Cue,See],single-atomjunctions[Kro,Mozw],atomic-sized

constrictions[Fer,MulB,Ben],atomic-scalejunctions[Whe,Thi].Jeżelidługość

nanozłączajestznaczniemniejszaododległościpomiędzydwomazderzeniami

elektronu,nazywanejśredniądrogąswobodnąelektronu(le),orazjeżeliśrednica

Brak wyników

Pomiary elektryczne nanozłączy

Treść książki

Znajdź bibliotekę blisko siebie, i uzyskaj dostęp do ebooka w systemie IBUK Libra